WPS怎样插入PN结温正向电压电流公式?
P型半导体空穴是多数载流子,N型半导体电子是冲极多数载流子,在PN结中由于电子与空穴的意思扩散作用,形成区域电场,脉冲码脉最后达到动平衡,值源阅读源码app呈现非导电性,冲极称为阻挡层,意思区域电场方向如图4-1-3所示。脉冲码脉如果在PN结两端加上反向偏压,值源即P加负,冲极N加正,意思就破坏了动平衡,脉冲码脉使漂移起主导作用。值源在P区使电子向N区运动,冲极java object 源码在N区使空穴向P区运动,这样就加宽了阻挡层。当漂移与扩散两种作用互相抵消,达到暂时动平衡,又呈现出非导电性,这个加厚了的阻挡层,称为耗尽层,抢购源码java又称作本征区。耗尽层电场方向如图4-1-4所示。
当一个γ量子入射到本征区,能量并耗尽在本征区,在γ量子轨迹的两边产生电子—空穴对,在电场作用下,电子向N区漂移,lua源码编译空穴向P区漂移。在漂移过程中不断发生碰撞,产生更多的电子—空穴对。如果陷井密度小,电子—空穴对复合几率小,迁移率就大,收集效率可达%以上,mjpg streamer 源码输出的电流脉冲达到极大值,电流脉冲的幅度与γ量子在本征区耗损能量成正比。耗尽层的宽度随着外加电场的变化而变化,其公式如下:
式中 W——耗尽层宽度;ε——介电常数;е——电子电荷量;V——外加反向偏压;V0——内部区域电压;NA——受主杂质浓度。
由电阻率公式,求出NA:
式中 ρ——材料电阻率;μ( h)——空穴迁移率。
将式(4-1-7)代入式(4-1-6):
耗尽层与(ρV )1/2成正比。PN结可视为平行板电容器:
式中 C——电容量;S——极板面积。
把W代入式(4-1-9):
Ge探测器PN结在收集载流子后的电流脉冲幅度:
式中 Vi——收集载流子后的电流脉冲幅度;Q——收集载流子后的总电荷量。
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脉冲黄桃
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脉冲切换系统最优控制理论及应用章节目录
脉冲切换系统最优控制理论及应用章节目录
1. 第一章:绪论1.1 最优控制问题简介
1.2 脉冲切换系统理论概述
1.3 常用数值计算方法介绍
2. 第二章:数学基础2.1 向量与矩阵范数
2.2 导数与微分
2.3 函数的极值问题
3. 第三章:最优控制中的基本问题3.1 泛函与变分
3.2 变分法求解
3.3 极大值原理
3.4 时间最优控制
3.5 线性二次型理论
4. 第四章:计算方法4.1 梯度法
4.2 共轭梯度法
4.3 边界迭代法
4.4 拟线性化法
5. 第五章:规范型最优控制5.1 参数选择问题
5.2 求解方法
5.3 规范形控制问题
6. 第六章:最优脉冲控制6.1 自治系统控制问题
6.2 求解过程
6.4 脉冲系统求解实例
7. 第七章:切换系统最优控制7.1 问题描述
7.2 求解方法
7.4 计算过程
7.5 数值例子
...(后续章节内容省略,按照结构继续列出,直到第十章)...2024-11-23 11:55
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